硅外延层厚度测定 堆垛层错尺寸法

　　（高清正版） YST 23-2016 硅外延层厚度测定 堆垛层错尺寸法 .

　　内容提示：中华人民共和国有色金属行业标准YS/T 23--- 92硅外延层厚度测定堆垛层错尺寸法主题内容与适用范围 本标准规定了根据堆垛层错尺寸测量硅处延层厚度的方法 本标准适用于在111, tloo和(110)晶向的硅单晶衬底 仁 生长的硅外延层厚度的测缝 外延层中应存在着发育完整的堆垛层错， 其大小可用干涉相衬显微镜r:接观察(非破坏性的) ， 或经化学腐蚀后用金相显微镜观察(破坏性的) 。测量范围为2^ 75 um2方法原理 在111), (100),(110)三种低指数晶向的硅单晶衬底上生长的外延层中， 发育完全的堆垛层错分别在外延层表面 仁 呈现封闭的等边三角形、 ...

　　中华人民共和国有色金属行业标准YS/T 23--- 92硅外延层厚度测定堆垛层错尺寸法主题内容与适用范围 本标准规定了根据堆垛层错尺寸测量硅处延层厚度的方法 本标准适用于在111, tloo和(110)晶向的硅单晶衬底 仁 生长的硅外延层厚度的测缝 外延层中应存在着发育完整的堆垛层错， 其大小可用干涉相衬显微镜r:接观察(非破坏性的) ， 或经化学腐蚀后用金相显微镜观察(破坏性的) 。测量范围为2^ 75 um2方法原理 在111), (100),(110)三种低指数晶向的硅单晶衬底上生长的外延层中， 发育完全的堆垛层错分别在外延层表面 仁 呈现封闭的等边三角形、 正方形和等腰三角形。由于硅单品衬底有一定的晶向偏离， 所以实际观察到的堆垛层错的图形会稍有变形 对 仁 述三种低指数晶向的外延片， 外延层厚度了和堆垛层错图形边长 L 的关系如下表所述。衬底取向门 11)( 100 )+ i 0层错 图形角形T 与L 关 系T -0. 707 大577 L注 丁外延层厚度,t l m;堆垛层错边长,t- .3试剂氢氟酸(pl. 15 g/m L) :化学纯。去离子水:电 阻率 大于2 MS 2 cm(25 C),只氧化铬:化学纯铬酸溶液:50 g二氧化铬(3. 3)溶于80 niL 水中， 稀释到100 m] 。腐蚀液 氢氟酸 铬酸溶液= 1 ; 1(体积比) 。测量仪器可 读数的全相显微镜:物镜30- 50X .带有刻度的目 镜10^ 15 X千涉相衬显微镜:物镜 3。 一5o x ， 目 镜10- 15X 。测微标 尺:1 m m， 分辨 率为。 . 01 m m确. IC乙口J月qJ月. e s门了JqJ t:t1︺，J怪J勺J气吮d月﹃ 月 q月口中国有色金属工业总公司1992一 03一 09批准1993一 01一 01实施