一种降低外延片堆垛层错缺陷的外延方法及其应用

　　(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利(10)授权公告号 (45)授权公告日 (21)申请号 6.2(22)申请日 2020.05.22(65)同一申请的已公布的文献号 申请公布号 CN 111681947 A(43)申请公布日 2020.09.18(73)专利权人 东莞市天域半导体科技有限公司地址 523000 广东省东莞市松山湖北部工业城工业北一路5号二楼办公楼(72)发明人 李云廷冯禹姚晓杰孔令沂(74)专利代理机构 广东莞信律师事务所 44332代理人 谢树宏(51)Int.Cl.H01L 21/02 (2006.01)(56)对比文件CN 107068539 A,2017.08.18CN 106711031 A,2017.05.24CN 102254798 A,2011.11.23CN 105826186 A,2016.08.03JP 2013018659 A,2013.01.31审查员 代智华 (54)发明名称一种降低外延片堆垛层错缺陷的外延方法及其应用(57)摘要本发明公开了一种降低外延片堆垛层错缺陷的外延方法，包括以下步骤：S1、将衬底放置于反应室内的生长位置；S2、向反应室内通入氢气，升温，在氢气氛围下刻蚀10～20min；S3、向反应室内通入乙烯和三氯氢硅气体直到C/Si比值为0.9～1.2，低速生长第一外延缓冲层；S4、向反应室内继续通入乙烯及三氯氢硅气体直到C/Si比值为0.6～0.9，低速生长第二外延缓冲层；S5、停止向反应室内通入乙烯和三氯氢硅，并降温，在氢气氛围下刻蚀4～10min；S6、逐渐增加乙烯和三氯氢硅的流量直到C/Si比值为1.0～1.2，高速生长外延层，形成外延片；S7、降低反应室温度，取出外延片并进行检测、清洗和封装。权利要求书1页 说明书7页 附图6页CN 111681947 B2022.03.29CN 111681947 B